功率半导体器件的进步特别是PowerMOSFET的进步引发出功率变换的一系列的进步：PowerMOSFET的极快的速度，使延安箱式变压器的频率从双极晶体管的20kHz提高到100kHz以上，有效地减小了无源储能元件(电感、电容)的体积。低压PowerMOSFET使低压同步整流成为现实，器件的导通电压从肖特基二极管的0.5V左右，降低到同步整流器的0.1V甚至更低，使低压整流器的效率至少提高了10%。高压PowerMOSFET的导通压降和特性的改善，提高了延安箱式变压器的初级效率。功率半导体器件的功耗的降低也使散热器和整机的体积减小。
延安箱式变压器界有一个不成文的观点：不稳压的比稳压的效率高、不隔离的比隔离的效率高、窄范围输入电压的比宽范围输入的效率高。Vicor的48V输入延安箱式变压器模块的效率达到97%。交流输入延安箱式变压器需要功率因数校正，由于功率因数校正已具有稳压功能，在对输出纹波要求不高的应用(如输出接有或超级电容器)，可以采用功率因数校正加不调节的隔离变换器电路拓扑，国外在1986年已有产品，效率到达93%以上。摘自（延安箱式变压器）
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